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第3代H系列IGBT
第5代A系列IGBT
第5代NF系列IGBT
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第6代NX系列IGBT
第6代ANF系列IGBT
第6代MPD系列IGBT
第6代新MPD系列IGBT
第6代NX系列IGBT产品型号
（点击某型号，可以查看该产品的pdf资料）
性能特点
：
>
采用第6代IGBT硅片技术，损耗低，二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低；
>
硅片结温可高达175°C，硅片运行温度最高可达150°C，内部集成NTC测温电阻，全系列共享同一封装平台。
型 号 列 表
单元数及电路
电 压
型 号
两单元
1200V
CM150DX-24S
CM200DX-24S
CM300DX-24S
CM450DX-24S
CM600DXL-24S
CM1000DXL-24S
1700V
CM150DX-34S CM200DX-34S CM300DX-34S
CM400DXL-34S CM600DXL-34S
六单元
1200V
CM75TX-24S
CM100TX-24S
CM150TX-24S
1700V
CM50TX-34S CM75TX-34S CM100TX-34S
七单元
1200V
CM75RX-24S
CM100RX-24S
CM150RX-24S
CIB结构
1700V
CM35MXA-24S
CM50MXA-24S
CM75MXA-24S
CM100MXA-24S
邮箱：cdd@bjrtd.com 在线QQ交谈：913981851 54485717 1062662049
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可控硅
